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领域:工业控制,能源控制,军工航天

规模:50-100人

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IGBT研发工程师

30万 - 60万 深圳 | 3年以上 | 硕士及以上 | 全职

职位福利:年终奖金,年度旅游,技术领先,成长空间大,通讯津贴,交通补助,技能培训

发布时间:2021-03-22 发布者:henrry Li 投递简历


描述:

负责IGBT,MOS产品设计,负责文献及专利整理及同业基准跳叉,TCAD仿真(包括旗舰结构及工艺流程仿真)
负责生产工艺开发,产品试验规划等
负责晶圆 及产品封装的检测
负责产品性能测试,失效分析

任职要求
拥有微电子/电子工程学硕士或者博士学历;或者拥有功率半导体研发经验
拥有功率半导体器件(如二极管,MOSFET,IGBT等)
拥有TCAD仿真,晶圆加工,元器件封装及测试相关知识

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