蓉矽半导体
领域:汽车电子,工业控制,能源控制
规模:0-50人
主页:http://www.NovuSem.com
地址:四川省成都市高新区天府大道中段1366号天府软件园E6-1座9楼
查看来源网站蓉矽半导体
（功率半导体）器件设计工程师33万 - 65万 成都 | 工作经验不限 | 硕士及以上 | 全职
职位福利:年终奖金,五险一金,老板nice,年底双薪,股票期权,天天下午茶,技术领先,成长空间大
发布时间:2021-10-29 发布者：李娜娜 投递简历
描述：
岗位职责：
1、根据公司产品开发流程完成产品开发，如：Si基功率二极管，mosfet，IGBT或SiC MOSFET设计、版图设计并优化工艺流程；
2、与FAE和市场人员一起按照项目计划启动项目产品开发；
3、配合完成芯片测试并分析测试结果形成报告；
4、完成产品可靠性考核并形成报告。
任职要求：
1、硕士及以上学历，微电子、电力电子、集成电路等相关专业并具备有Si基功率二极管，mosfet，IGBT或SiC器件的设计经验；
2、具备半导体物理、半导体器件物理及可靠性相关知识；
3、熟悉Silvaco仿真软件；
4、熟悉L-Edit版图软件。