半导体微纳加工与测试 XRD,XEDS和HRXRD 的区别
有没有人知道这三者的区别,有购买意向
千山暮雪-1回复:18116142901· 4年前
XRD: X-ray Diffraction,X射线衍射。主要是利用晶体的晶格间距当作光栅对x射线造成产生衍射,从衍射图谱可以推断出晶体中各个晶格之间的间距,从而进一步推断出晶体结构,晶胞尺寸,结合其他信息可以推断材料的成分。
XEDS:X-ray Energy Dispersion Spectrum,一般简称EDS或者EDX, 不知道怎么翻译。原理是当原子中的内层电子被高能的电子束,质子束或者X光激发而逃逸后,外层电子会落入能量较低的空内层轨道,这个过程会同时释放出一个光子,其能量等于内外层电子的能量差值。通常,这个光子的能量会小于激发源的能量,不过经常还是属于X光的范围。可以通过光子的能量来判断样品中的元素成分。
二者在应用上的差别主要在于XRD用于测量晶体结构信息,EDS则用来获取成分信息。通常对一个材料的表征可以采用两种方法结合的手段,可以得到相对完整的结果。
XRD 和 HRXRD 的区别在于XRD是普通的衍射仪,HRXRD是高分辨率衍射仪,测量精度后者更高。其实都差不多,加了4-bounce monochromator, gobel mirror, triple-axis analytical crystal等限束平行单色装置,所以色散很小,准直度高,但是强度削弱很厉害。适合分析单晶薄膜等,衍射峰的峰宽有仪器的贡献和样品的贡献两部分组成,高分辨就是仪器的峰宽非常小。高分辨可看到普通XRD看不到的峰的劈裂。