材料科学    正型光刻胶与负型光刻胶的比较

区别

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LU回复:PMG· 3个月前

对于同样的电路图形的光学曝光,即可用正型光刻胶来实现,也可用负型光刻胶来实现,只是掩模不同。如图,对于一条单线的曝光,如果用负型光刻胶,要采用亮场掩膜,即掩膜的大部分区域都是透光的;如果用正型光刻胶,用暗场掩膜,即掩膜的大部分区域都是不透光的。反过来,只要选择不同的掩膜形式,所有的曝光图形都可用一种胶来实现。例如,负型光刻胶与亮场掩膜的组合产生正型光刻胶的效果,正型光刻胶与亮场掩膜的组合产生负型光刻胶的效果。1.png


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D300回复:PMG· 3个月前

正性光刻胶除图形分辨率高而适应于微细图形的掩膜外,它还具有图形边缘陡直, 去胶容易等独特性能,比负性光刻胶更有利于金属剥离工艺。

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