材料科学 正型光刻胶与负型光刻胶的比较
区别
LU回复:PMG· 4年前
对于同样的电路图形的光学曝光，即可用正型光刻胶来实现，也可用负型光刻胶来实现，只是掩模不同。如图，对于一条单线的曝光，如果用负型光刻胶，要采用亮场掩膜，即掩膜的大部分区域都是透光的；如果用正型光刻胶，用暗场掩膜，即掩膜的大部分区域都是不透光的。反过来，只要选择不同的掩膜形式，所有的曝光图形都可用一种胶来实现。例如，负型光刻胶与亮场掩膜的组合产生正型光刻胶的效果，正型光刻胶与亮场掩膜的组合产生负型光刻胶的效果。
D300回复:PMG· 4年前
正性光刻胶除图形分辨率高而适应于微细图形的掩膜外，它还具有图形边缘陡直， 去胶容易等独特性能，比负性光刻胶更有利于金属剥离工艺。
