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纳米转印成功的关键是什么
PMG 回复:是衬底材料的表面能大于印模材料的表面能，保证脱模时压印层能顺利脱离印模，但牢固黏附到衬底上。不同材料有不同的表面处理方法来改变表面能。以石英印模与硅衬底为例，石英表面可以经过苯乙基三氯硅烷PETS的表面处理降低其表面能。
正型光刻胶与负型光刻胶的比较
PMG 回复:对于同样的电路图形的光学曝光，即可用正型光刻胶来实现，也可用负型光刻胶来实现，只是掩模不同。如图，对于一条单线的曝光，如果用负型光刻胶，要采用亮场掩膜，即掩膜的大部分区域都是透光的；如果用正型光刻胶，用暗场掩膜，即掩膜的大部分区域都是不透光的。反过来，只要选择不同的掩膜形式，所有的曝光图形都可用一种胶来实现。例如，负型光刻胶与亮场掩膜的组合产生正型光刻胶的效果，正型光刻胶与亮场掩膜的组合产生负型光刻胶的效果。
YPL-NIL-SL400的优势
PMG 回复:1. 4英寸的载物台可以放置不同形状的衬底；
2. 温度及压力范围完全满足压印需求；
3. 真空室设计保证洁净的压印环境；
4. 多种固化方式丰富了科研手段；
5. 水冷系统比风冷系统带来更快的冷却速度；
6. 自动找平装置保证了压印的均匀性；
7. 自动化设计大大提高了压印效率；
8. 独特载样设计解决了 旋转载样容易导致的模板偏离问题；
9. 压力缓冲系统及模板保护装置能有效降低摸板损坏的几率
10. 可定制更大尺寸纳米压印设备。
我要测疏水作用力，要在针尖修饰分子，我应该如何挑选AFM探针？
MWW 回复:1. 测疏水作用力，属于液相，需要悬臂镀Au的探针。
2. 要在针尖修饰分子：需要探针针尖镀Au。
所以需要选择双面镀Au的探针。
XRD，XEDS和HRXRD 的区别
18116142901 回复:XRD: X-ray Diffraction，X射线衍射。主要是利用晶体的晶格间距当作光栅对x射线造成产生衍射，从衍射图谱可以推断出晶体中各个晶格之间的间距，从而进一步推断出晶体结构，晶胞尺寸，结合其他信息可以推断材料的成分。
XEDS：X-ray Energy Dispersion Spectrum，一般简称EDS或者EDX, 不知道怎么翻译。原理是当原子中的内层电子被高能的电子束，质子束或者X光激发而逃逸后，外层电子会落入能量较低的空内层轨道，这个过程会同时释放出一个光子，其能量等于内外层电子的能量差值。通常，这个光子的能量会小于激发源的能量，不过经常还是属于X光的范围。可以通过光子的能量来判断样品中的元素成分。
二者在应用上的差别主要在于XRD用于测量晶体结构信息，EDS则用来获取成分信息。通常对一个材料的表征可以采用两种方法结合的手段，可以得到相对完整的结果。
XRD 和 HRXRD 的区别在于XRD是普通的衍射仪，HRXRD是高分辨率衍射仪，测量精度后者更高。其实都差不多，加了4-bounce monochromator, gobel mirror, triple-axis analytical crystal等限束平行单色装置，所以色散很小，准直度高，但是强度削弱很厉害。适合分析单晶薄膜等，衍射峰的峰宽有仪器的贡献和样品的贡献两部分组成，高分辨就是仪器的峰宽非常小。高分辨可看到普通XRD看不到的峰的劈裂。
